通富微电拟与富士通半导体合作设
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导 读:
通富微电周二晚间发布公告,公司拟与富士通半导体建立合作研发平台,8月30日双方已签署《合作设立研发中心意向书》。
研发中心计划年内开始运行,在今后1-2年内,研发的重点是fan-outwlp、lowcostfcbga等技术。
富士通半导体与公司第二大股东富士通(中国)有限公司同为富士通株式会社的全资子公司,同受富士通株式会社控制,为公司关联方。
公司表示,研发中心的设立,将加大公司研发新型封装产品和技术的力度,有利于公司综合技术水平的提升,有利于加快先进封装技术成果的转化及产业化。同时对公司优化产品结构,实现产品技术处于行业领先地位的目标也会产生实质性的积极作用。
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