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导  读：

日本的产业技术综合研究所（产综研）于近日成立了“纳米电子元件研究中心”。目的是推进半导体元件的微细化，以及开发取代cmos晶体管微细化的、基于新原理的技术。

该中心将推进32nm及22nm工艺半导体元件的微细化和高性能化。为此，将从高性能元件的试制及其电特性测试、纳米级别的物理测量评价分析、第一原理电子状态计算、元件模拟等全方位的科学计算分析。

此外，还将开发取代cmos晶体管微细化的、基于新原理的技术。这是因为，32nm工艺以后的微细化需要导入新材料、新构造及新生产工艺，但该领域预计到2020年左右将达到极限。通过开发基于新原理的技术，有望解决这一问题。将建立与外部机构共用的研发设施“neip（纳米电子技术创新平台）”，与产综研的其他部门及外部机构合作，将其用作把基本技术与元件实证相结合的设施。将以cmos技术为基础，高效试制新材料及新构造元件，推进可将测定数据和模拟试验结果进行系统性积累的知识管理。

另外，该中心为了推进新一代半导体的研发，将继续推进通过nedo（新能源产业技术综合开发机构）委托的国家项目“半导体mirai项目”培育的技术。产综研的新一代半导体研究中心等参与了半导体mirai项目。产综研称，半导体mirai项目在应变硅技术及高介电常数栅极绝缘膜技术等领域，在保持cmos晶体管构造的前提下提高性能方面取得了巨大成果。但是，随着cmos晶体管的尺寸逐渐接近10nm原子水平，需要开展包括半导体之外的技术领域在内的研发等，因此产综研决定设立纳米电子元件研究中心。