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导  读：

北京大学教授何进博士率领的微电子学研究院纳太器件和电路研究组，在教育部留学回国人员科研启动基金和国家自然科学基金支持下，最近在cmos集成电路用纳器件模型领域取得重要突破，成果在国际电子电气工程师协会相关领域最权威的学术期刊《电子器件杂志，ieeetrans.electrondevices》2007年9月刊的“纳电子器件模型和模拟专辑（specialissueonsimulationandmodelingofnanoelectronicsdevices）上发表。这是该研究组继去年在该权威期刊的“先进模型和45纳米模型挑战”专辑（specialissueonadvancedcompactmodelsand45-nmmodelingchallenging上发表纳米cmos器件物理基本解和mos器件量子效应模拟两篇重要论文以来，在微纳电子和集成电路器件模型领域取得的又一最新进展。