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英特尔公司最近在日本京都举行的2003年超大规模集成电路技术和电路研讨会上宣布，它在三栅极晶体管的研究方面取得了很大进展，并开始从研究阶段过渡到开发阶段。这种创新的三维(3d)晶体管设计将使英特尔能够进一步推动摩尔定律的发展，同时继续推出高性能、低功耗的处理器产品。

快速晶体管是高性能微处理器中最关键的构件。自从英特尔去年宣布第一个三栅极晶体管技术以来，该公司的研究人员已经成功地将三栅极晶体管的尺寸(以栅极长度衡量)从60纳米缩小到30纳米。栅极尺寸较小的晶体管可以加快开关速度，最终实现更快的微处理器。

英特尔公司技术与制造部高级副总裁兼总经理孙林周表示:“我们的最新研究结果表明，三栅极晶体管具有出色的可扩展性、可制造性和出色的性能。预计我们将在2007年在45纳米工艺中采用这种晶体管。这种非平面三维晶体管结构将加速我们在纳米技术领域的创新，并继续促进芯片的可扩展性和摩尔定律的未来发展。”

英特尔表示，其三栅极晶体管采用了创新的三维栅极结构(就像一个在垂直方向突出的平台)，使电子信号能够通过晶体管的顶部栅极和两个垂直侧门发送。这一措施可以有效地将电子信号传输空室扩大三倍，就像将一条单线高速公路改造成一条三线高速公路而不占用更多的空室一样。凭借这一优势，三栅极晶体管比当前的平面晶体管具有更好的性能。

英特尔指出，英特尔的三栅极晶体管是专为大规模生产而设计的，这对于将它们从开发阶段转移到生产阶段非常重要。这一创新设计还解决了越来越小的cmos器件导致的漏电流不断增加的问题。由于其独特的结构，三栅晶体管的漏电流问题远低于相同尺寸的平面晶体管。英特尔的三栅极晶体管设计已经从研究阶段过渡到开发阶段，实验设备已经在位于俄勒冈州希尔斯博罗的英特尔300毫米晶圆厂(fabd1c)成功生产。