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英特尔芯片技术40年来大突破 漏电

当前栏目:新闻|发布者:阿坚|来源:自动化网|发布时间:2020-08-23 22:48:02|阅读:

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根据chinapost.tw网站,英特尔的下一代多核处理器,如酷睿2双核、酷睿2四核和至强,将使用数亿个这样的微晶体管。英特尔表示,它已经运行了五个早期版本的产品。这是英特尔计划生产的15个45纳米处理器中的第一个。 这种晶体管使英特尔能够继续为台式机、笔记本电脑和服务器提供创纪录的处理器速度,同时减少晶体管泄漏。晶体管泄漏会影响芯片和电脑的设计、尺寸、功耗、噪声和成本。这项技术也将确保摩尔定律在未来10年仍然有效。 英特尔相信,通过推出一款名为“penryn”的工作45纳米处理器,英特尔已经将其在半导体行业的优势扩大到超过一年。 英特尔是第一家使用创新方法将新材料与45纳米技术相结合的公司。这些新材料将显著减少泄漏,提高晶体管的性能。英特尔将使用一种称为“高k”的新材料来制造晶体管栅极绝缘体,并使用一种新的金属材料来制造晶体管栅极。 英特尔联合创始人戈登·摩尔(gordon moore)表示,“高k”和金属材料的采用标志着自20世纪60年代末引入多晶硅栅mos晶体管以来晶体管技术的最大变化。 英特尔高级研究员马克·波尔表示,在45纳米工艺技术中采用“高k”和金属栅晶体管将使英特尔能够提供更快、更节能的多核产品,并将摩尔定律延伸到未来10年。


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